SiCパワー半導体の市場シェア・動向調査

次世代パワー半導体として期待されているSiC製品ですが、2025年に市場規模はUS$2,500Mに達するとも予測されています。

SiCパワー半導体製品の中で、大きく拡大しているのはSiCショットキーバリアダイオード（以下SiC SBDと記載）です。

近年、次世代パワー半導体の価格が低下した事もあり、急速に製品採用が拡大しています。

SiC SBDの特徴

以上の様に、市場拡大の背景より半導体メーカー各社での開発競争とM&A・提携が加速しています。

ここで近年のSiC製品製造メーカーの動向を下記にまとめてみました。

メーカー	2018年以後の投資金額	提携企業
Cree	￥1,100億	Wolfspeed・ABB提携
ST micro	￥200億	SiCrystal・Norstel・Cree・GWC提携
Infineon	￥500億	Siltectra買収、Cree提携
ローム	￥600億	SiCrystal買収
ON semi	￥300億	Fairchild買収
昭和電工	￥450億	トヨタ・デンソー提携

この分野では、欧米メーカーのポジションが高い事がわかります。

日系メーカーでは、ローム・昭和電工が積極的な活動しています。

ここで、2019年時点でのSiC製品の市場シェアを推測してみました。

※弊社推測: SiC製品（MOSFET/SBD/MODULE他）

近年、世界全体として地球温暖化対策が叫ばれており、CO2削減は喫緊の課題です。

その対策として、化石燃料から再生化エネルギーへの移行は必然と言えます。

その手段として太陽光発電や風力発電が世界的に拡大しており、それらの機器にてSiC製品の採用が拡大すると予測されます。

また、同様にEV（電気自動車）も市場は急速拡大しており、SiC製品の採用が拡大しています。

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